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Samsung MZ-V9S2T0 2 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

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Description et données du produit

Une vitesse spectaculaire au quotidien
Exécutez vos tâches plus rapidement. Des fichiers volumineux, un transfert instantané.

Maintien de la fraîcheur et de la puissance tout au long de la journée
Efficacité optimisée, performances étendues. Le contrôleur à revêtement nickelé augmente de 73 % le nombre de Mo/s par watt par rapport au 990 EVO,qui permet d'atteindre le même niveau de puissance et le même contrôle thermique tout en consommant moins d'énergie. Restez concentré sur votre travail ou vos loisirs sans vous soucier de la surchauffe ou de l'autonomie de la batterie.

Espace supplémentaire. Exploitez toute la puissance de votre disque grâce à la technologie améliorée Intelligent TurboWrite 2.0.

Le logiciel Samsung Magician
Faites fonctionner votre disque SSD comme par magie. Les outils d'optimisation du logiciel Samsung Magician garantissent les meilleures performances du SSD. C'est un moyen sûr et facile de migrer toutes vos données pour une mise à niveau du SSD Samsung. Protégez vos données précieuses, surveillez l'état de votre disque et obtenez les dernières mises à jour du micrologiciel.

Donner vie aux innovations
Depuis des décennies, la mémoire flash NAND de Samsung est à l'origine de technologies révolutionnaires qui ont changé chaque aspect de notre vie quotidienne. Cette technologie flash NAND équipe également nos disques SSD grand public, laissant la place à la prochaine grande vague d'innovation.

Performances
Jusqu'à 7 250 Mo/s de vitesse de lecture séquentielle, soit 45 % de plus que le modèle précédent, le 990 EVO.

Efficacité énergétique
Efficacité énergétique améliorée de 73 % par rapport au 990 EVO pour plus de Mo/s par watt, tout en maintenant les performances et le contrôle thermique.

Versatilité
Jusqu'à 4 To de capacité et rapide Intelligent TurboWrite 2.0.Samsung MZ-V9S2T0. Capacité SSD : 2 To, Facteur de forme SSD : M.2, Vitesse de lecture : 7150 MB/s, Vitesse d'écriture : 6300 MB/s, Composant pour : PC



Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - crypté - 2 To - interne - M.2 2280 - PCIe 5,0 x2 (NVMe) - AES 256 bits - TCG Opal Encryption 2,0 (MZ-V9S2T0)



Samsung SSD | 990 EVO Plus | 2000 Go | Format SSD M.
Producteur - Samsung

  • Caractéristiques de l'emballage / Profondeur brute (mm) : 90.00 mm
  • Caractéristiques de l'emballage / Hauteur brute (mm) : 10.00 mm
  • Caractéristiques de l'emballage / Largeur brute (mm) : 30.00 mm
  • Caractéristiques de l'emballage / Quantité d'emballage : 1.00 pcs.
  • Caractéristiques de l'emballage / Papier/Carton : 22.00 g
  • Caractéristiques de l'emballage / Plastique (pas de PET) : 8.00 g
  • Caractéristiques de l'emballage / Poids de tare (kg) : 0,03 kg
  • Caractéristiques de l'emballage / Volume (m3) : 0.00 m³
  • Caractéristiques de l'emballage / Batterie intégrée : Non
  • Caractéristiques de l'emballage / Taxe DEEE : CL109:6:2017-04-01
  • Caractéristiques de l'emballage / Palette Qté : 25641 pcs.
  • Caractéristiques techniques / Poids brut : 0,04 kg
  • Caractéristiques techniques / Poids net : 0,01 kg
  • Caractéristiques techniques / Producteur : Samsung
  • Données techniques / Nom du produit du producteur : 990 EVO Plus
  • Données techniques / Famille de produits du producteur : SSD
  • Travail / Capacité de mémoire SSD : 2000 GO
  • Travail / Vitesse d'écriture du média : 6300 MB/s
  • Vitesse de lecture travail / média : 7250 MB/s
  • Fonctionnement / Interface mémoire SSD : NVMe
  • Conception / Taille de la baie SSD : M.2 2280


Généralités
Type de périphérique
Solid State Drive - interne
Capacité
2 TO
Cryptage matériel
Oui
Algorithme de cryptage
aES 256 bits
Type de mémoire flash NAND
TLC (Triple-Level Cell)
Facteur de forme
M.2 2280
Interface
PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Caractéristiques
Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Prise en charge de la mise en veille du périphérique, Host Memory Buffer (HMB), Prise en charge de TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667
Largeur
22.15 mm
Profondeur
80.15 mm
Hauteur
2.38 mm
Poids
9 g
Performance
Débit de données interne
7250 MBps (lecture)/ 6300 MBps (écriture)
Écriture aléatoire maximale de 4 Ko
1350000 IOPS
Maximum 4 KB en lecture aléatoire
1000000 IOPS
Fiabilité
MTBF
1.500 000 heures
Extension et connectivité
Tableau de bord compatible
M.2 2280
Alimentation électrique
Consommation d'énergie
4.6 watts (lecture)
4.2 watts (écriture)
60 mW (veille)
5 mW (mode sommeil)
Logiciel et configuration requise
Logiciel inclus
Logiciel Samsung Magician
Divers
Matériau du boîtier
Revêtement en nickel
Service et support
Conditions environnementales
Température de fonctionnement min
0 °C
Température de fonctionnement max. Température de fonctionnement maximale
70 °C
Tolérance aux chocs (hors fonctionnement)
1500 g @ 0,5 ms
Tolérance aux vibrations (pas en fonctionnement)
20 g @ 20-2000 Hz


Caractéristiques



  • Lecture aléatoire (4 Ko) : 850 000 IOPS
  • Prise en charge TRIM : Oui
  • Écriture aléatoire (4 Ko) : 1 350 000 IOPS
  • Cryptage matériel : Oui
  • Algorithmes de sécurité : AES 256 bits
  • Taille du SSD M.2 : 2 280 (22 x 80 mm)
  • NVMe : Oui
  • Version NVMe : 2.0
  • Temps moyen entre pannes (MTBF) : 1 500 000 h
  • Composant pour : PC
  • Facteur de forme du SSD : M.2
  • Interface : PCI Express 4.0
  • Vitesse de lecture : 7 150 Mo/s
  • Type de mémoire : V-NAND TLC
  • SMART support : oui
  • Vitesse d'écriture : 6 300 Mo/s
  • Capacité SSD : 2 To

Conditions de fonctionnement



  • Température de fonctionnement (TT) : 0 - 70 °C

Poids et dimensions



  • Largeur : 80,2 mm
  • Hauteur : 22,1 mm
  • Profondeur : 2,38 mm
  • Poids : 9 g



SAMSUNG
Disque dur interne M.2 SSD
990 EVO Plus NVMe™ SSD M.2 - 2 To
Disque dur M.2 SSD

Interface : PCI Express 4.0
Vitesse de lecture 7150 Mo/s, vitesse d'écriture 6300 Mo/s



Spécifications du produit :

  • Capacité : 2 TB
  • Taille : M.2
  • Interface : PCI Express 4.0

N° de fabricant :MZ-V9S2T0BW



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Pour plus d'informations, veuillez consulter la page d'accueil du fabricant !
Vitesse de lecture
7250 MB/s
Vitesse d’écriture
6300 MB/s
Fabricant
Poids
0.009 kg
Capacité de stockage
2 TB
Numéro de fabricant
MZ-V9S2T0BW
Codes-barres EAN
8806095575650

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Avis des clients

Le 26 avril 2026
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Performance et prix, top !
Capacité de stockage 4 TB
Le 13 mars 2026
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Samsung EVO plus 990 2TB
Capacité de stockage 2 TB
Le 5 mars 2026
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Fonctionne de manière fiable
Capacité de stockage 2 TB
Le 29 juin 2026
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Tout va bien
Capacité de stockage 1 TB
Le 2 février 2026
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Top !
Capacité de stockage 2 TB
Le 8 mai 2026
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Comme décrit dans l'état d'origine
Capacité de stockage 2 TB
Le 24 juin 2026
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Le produit fait ce qu'il est censé faire
Capacité de stockage 2 TB
Le 5 mars 2026
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Bonne mémoire
Capacité de stockage 2 TB
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