Samsung 990 PRO MZ-V9P1T0BW - SSD - crypté - 1 To - interne - M.2 2280 - PCIe 4,0 x4 (NVMe) - AES 256 bits - TCG Opal Encryption 2,0 (MZ-V9P1T0BW)

Obtenez des performances maximales avec PCIe 4.

Extrêmement rapide PCIe® 4.
Compatible avec PlayStation® 5 (jusqu'à 7 450 Mo/s en lecture, jusqu'à 6 900 Mo/s en écriture)

SPÉCIFICATIONS

App : PC, console de jeu
Interface : PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
Dimensions (L x H x P) : 80 x 22 x 2,3 mm
Poids : Max 9 g
Performances : Jusqu'à 7 450 Mo/s (les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration)
Écriture séquentielle : Jusqu'à 6 900 Mo/s (les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration)

Caractéristiques générales
Application : PC, console de jeux
Capacité : 1 000 Go (1 Go = 1 milliard d'octets par IDEMA)
Type de périphérique : M.2 (2 280)
Interface : PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
Dimensions (L × H × P) : 80 × 22 × 2,3 mm
Poids : Max 9 g
Mémoire : Samsung V-NAND 3-bit MLC
Pilote : Samsung in-house Controller
Cache : Samsung 1GB Low Power DDR4 SDRAM

Caractéristiques spéciales :
Prise en charge TRIM : Oui
Prise en charge SMART : Oui
GC (Garbage Collection) : Algorithme Auto Garbage Collection
Prise en charge du cryptage : aES 256 bits (classe 0), TCG/Opal, cryptage IEEE1667
Prise en charge WWN : Non
Prise en charge du mode veille : Oui

Performances
Lecture séquentielle : Jusqu'à 7 450 Mo/s (les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration)
Écriture séquentielle : Jusqu'à 6 900 Mo/s (les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration)
Lecture aléatoire (4 Ko, QD32) : Jusqu'à 1 200 000 IOPS (les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration)
Écriture aléatoire (4 Ko, QD32) : Jusqu'à 1 550 000 IOPS (les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration)
Lecture aléatoire (4 Ko, QD1) : Jusqu'à 22 000 IOPS (les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration)
Écriture aléatoire (4 Ko, QD1) : Jusqu'à 80 000 IOPS (les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration)

Environnement
Consommation électrique moyenne : Moyenne : 5,4 W ; Maximum : 7,8 W (alimentation de pointe), (la consommation réelle peut varier en fonction du matériel et de la configuration)
Consommation d'énergie (inactive) : Max. 50 mW *La consommation d'énergie réelle peut varier en fonction du matériel et de la configuration.
Tension admissible : 3,3 V ± 5 %
Fiabilité (MTBF) : 1,5 million d'heures (MTBF)
Température de fonctionnement : 0 - 70 ?
Résistance aux chocs : 1 500 G & 0,5 ms

Samsung 990 PRO MZ-V9P1T0BW - SSD - crypté - 1 To - interne - M.2 2280 - PCIe 4,0 x4 (NVMe) - AES 256 bits - TCG Opal Encryption 2,0 (MZ-V9P1T0BW)

Travail :

Vitesse d'écriture du média - 6900
Vitesse de lecture du support - 7450
Interface mémoire SSD - PCIe Gen4x4

:
Nom du produit du producteur - 990 PRO

Design :
Taille de la baie SSD - M.2 2280

Détails techniques :
Producteur - Samsung

Caractéristiques

• Facteur de forme SSD : M.2
• Composant pour :PC/ordinateur portable
• Capacité SSD : 1 To
• Type de mémoire : V-NAND MLC
• Interface :PCI Express 4.0
• NVMe :Oui
• Cryptage matériel :Oui

SAMSUNG
Disque dur SSD interne
990 Pro, 1 TB, NVMe M.2 SSD
Disque dur SSD M.2

Interface : PCI Express 4.0
7450 Mo/s en lecture, 6900 Mo/s en écriture

Samsung 990 PRO 1 TB SSD - Disque dur interne

Caractéristiques

Prise en charge de DevSlp (mise en veille de l'appareil)

Oui

Prise en charge de la technologie SMART

Oui

NVMe

Oui

Cryptage matériel

Oui

Vitesse d'écriture

6900 Mo/s

Cache DDR externe

Oui

Temps moyen entre deux pannes (MTBF)

1500000 h

Prise en charge TRIM

Oui

Type de mémoire

V-NAND MLC

Nombre de lignes d'interface PCI Express

x4

Quantité de cache DDR externe

1024 MO

Version NVMe

2.0

Vitesse de lecture

7450 Mo/s

Capacité du SSD

1 TO

Écriture aléatoire (4 KB)

1550000 IOPS

Cryptage/sécurité

aES 256 bits

Interface

PCI Express 4.0

Lecture aléatoire (4 KB)

1200000 IOPS

Format SSD

M.2

Composant pour

PC

Consommation électrique

Consommation électrique (moyenne)

5,4 W

Consommation électrique maximale

7,8 W

Tension de fonctionnement

3,3 V

Poids et dimensions

Largeur

80 mm

Poids

9 g

Hauteur de l'appareil

22 mm

Profondeur

2,3 mm

Détails de l'emballage

Type d'emballage

Boîte

Autres caractéristiques

5 ans/années

Conditions de fonctionnement

Vibrations de fonctionnement

1500 G

Température maximale de fonctionnement

70 °C

Plage de température de fonctionnement (T-T)

0 - 70 °C

Spécifications du produit :

• Capacité : 1 TB
• Taille : M.2
• Interface : PCI Express 4.0

N° de fabricant :MZ-V9P1T0BW

1TB Samsung M.

Caractéristiques | Version NVMe : 2.2 | Interface : PCI Express 4.0 | Propriété : NVMe | Type de mémoire : V-NAND MLC | Composant pour : PC | Propriété : cryptage matériel | Vitesse de lecture : 7450 Mo/s | Vitesse d'écriture : 6900 Mo/s | Lecture aléatoire (4KB) : 1200000 IOPS | Ecriture aléatoire (4KB) : 1550000 IOPS | Voies de données d'interface PCI Express : x4 | Propriété : support DevSlp (mise en veille du périphérique) | Propriété : S.M.A.R.T. | Propriété : Prise en charge TRIM | Propriété : Cache DDR externe | Capacité du cache DDR externe : 1024 Mo | Temps moyen entre les défaillances (MTBF) : 1500000 h | Énergie | Tension de fonctionnement : 3.3 V | Consommation électrique (max.) : 7.8 W | Consommation électrique (moyenne) : 5.4 W | Poids et dimensions | Largeur : 80 mm | Profondeur : 2.

Samsung 990 PRO.2, Vitesse de lecture : 7450 MB/s, Vitesse d'écriture : 6900 MB/s, Composant pour : PC

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