Capacité de stockage:

1 TB

Samsung 990 Pro 1TB M.2 2280 Disque SSD NVMe V-NAND MLC

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ven. 22 – jeu. 28 mai

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Description et données du produit

Une vitesse explosive pour un jeu intensif

Découvre des performances puissantes avec PCIe® 4.0 et fais l'expérience d'une vitesse fulgurante pour affronter la concurrence. Ainsi, plus rien ne s'oppose au plaisir du jeu.

* La meilleure valeur théorique possible pour la vitesse de lecture séquentielle de PCIe® 4.0 est de 8000 Mo/s - la 990 PRO atteint 7450 Mo/s.

PCIe® à une vitesse fulgurante

"Obtenez une vitesse fulgurante pour votre expérience de jeu ainsi que pour l'édition vidéo et 3D, l'analyse de données et bien plus encore. Grâce à PCIe®, les performances sont adaptées : Avec des vitesses de lecture et d'écriture aléatoires 40 % et 55 % plus rapides par rapport à la 980 PRO, jusqu'à 1 400 K / 1 550 K IOPS et des vitesses de lecture/écriture séquentielles allant jusqu'à 7 450 / 6 900 Mo/s.

"* Les performances d'écriture séquentielle et aléatoire ont été mesurées avec la technologie TurboWrite intelligente activée. Le TurboWrite intelligent ne fonctionne que dans une certaine taille de transfert de données. Les performances peuvent varier en fonction du firmware du SSD, du matériel et de la configuration du système et d'autres facteurs. Pour des informations détaillées, contacte ton centre de service local. * Configuration du système de test : processeur AMD Ryzen 7 5800X 8-core CPU@3,80 GHz, DDR4 3600 MHz 16 GB x 2 (PC4-25600 overclock), système d'exploitation - Windows 10 Pro 64 Bit, chipset - ASRock-X570 Taich. * Pour maximiser les performances du 990 PRO, veuillez vérifier sur le site web d'Intel ou d'AMD si votre système prend en charge PCIe® 4.0.

Une efficacité énergétique révolutionnaire

"Une performance plus élevée consomme souvent plus d'énergie. Pas avec la 990 PRO. Fais l'expérience d'une faible consommation d'énergie grâce à des performances améliorées de plus de 50 % par watt par rapport au modèle précédent"

* vitesse de lecture séquentielle 980 PRO - 1 129/877 Mo/watt, vitesse de lecture séquentielle 990 PRO - 1 380/1 319 Mo/watt sur la base des résultats de tests internes du modèle d'une capacité de 1 To.

Régulation intelligente de la température

Le contrôleur recouvert de nickel et l'algorithme de contrôle thermique de pointe régulent la chaleur pour des performances illimitées. Le label Heatspreader contrôle la chaleur de la puce NAND, tandis que la technologie Dynamic Thermal Guard régule les températures"

Réveille le joueur professionnel qui sommeille en toi

Mets toutes les chances de ton côté pour gagner avec le 990 PRO Heatsink. Le modèle 4 To te soutient avec des vitesses de lecture aléatoires allant jusqu'à 1 600K IOPS. Profite de temps de chargement rapides sur ton PC ou ta Playstation 5 et laisse le SSD apporter un vent de fraîcheur dans tes jeux.

* L'image est simulée à des fins d'illustration. L'environnement d'utilisation réel peut différer.

Logiciel Samsung Magician

Une gestion avancée des disques en toute simplicité - grâce au logiciel Samsung Magician. Cette solution logicielle conviviale t'aide à garder un œil sur ton SSD. Il te permet de maintenir ton disque dur à jour avec des mises à jour, de surveiller les paramètres d'état et la vitesse et même d'optimiser les performances.



Obtenez des performances maximales avec PCIe 4.

Extrêmement rapide PCIe® 4.
Compatible avec PlayStation® 5 (jusqu'à 7 450 Mo/s en lecture, jusqu'à 6 900 Mo/s en écriture)

SPÉCIFICATIONS

App : PC, console de jeu
Interface : PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
Dimensions (L x H x P) : 80 x 22 x 2,3 mm
Poids : Max 9 g
Performances : Jusqu'à 7 450 Mo/s (les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration)
Écriture séquentielle : Jusqu'à 6 900 Mo/s (les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration)

Caractéristiques générales
Application : PC, console de jeux
Capacité : 1 000 Go (1 Go = 1 milliard d'octets par IDEMA)
Type de périphérique : M.2 (2 280)
Interface : PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
Dimensions (L × H × P) : 80 × 22 × 2,3 mm
Poids : Max 9 g
Mémoire : Samsung V-NAND 3-bit MLC
Pilote : Samsung in-house Controller
Cache : Samsung 1GB Low Power DDR4 SDRAM

Caractéristiques spéciales :
Prise en charge TRIM : Oui
Prise en charge SMART : Oui
GC (Garbage Collection) : Algorithme Auto Garbage Collection
Prise en charge du cryptage : aES 256 bits (classe 0), TCG/Opal, cryptage IEEE1667
Prise en charge WWN : Non
Prise en charge du mode veille : Oui

Performances
Lecture séquentielle : Jusqu'à 7 450 Mo/s (les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration)
Écriture séquentielle : Jusqu'à 6 900 Mo/s (les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration)
Lecture aléatoire (4 Ko, QD32) : Jusqu'à 1 200 000 IOPS (les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration)
Écriture aléatoire (4 Ko, QD32) : Jusqu'à 1 550 000 IOPS (les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration)
Lecture aléatoire (4 Ko, QD1) : Jusqu'à 22 000 IOPS (les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration)
Écriture aléatoire (4 Ko, QD1) : Jusqu'à 80 000 IOPS (les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration)

Environnement
Consommation électrique moyenne : Moyenne : 5,4 W ; Maximum : 7,8 W (alimentation de pointe), (la consommation réelle peut varier en fonction du matériel et de la configuration)
Consommation d'énergie (inactive) : Max. 50 mW *La consommation d'énergie réelle peut varier en fonction du matériel et de la configuration.
Tension admissible : 3,3 V ± 5 %
Fiabilité (MTBF) : 1,5 million d'heures (MTBF)
Température de fonctionnement : 0 - 70 ?
Résistance aux chocs : 1 500 G & 0,5 ms



Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Kapazität
1 TB
Hardwareverschlüsselung
Ja
Verschlüsselungsalgorithmus
256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp
TLC (Triple-Level Cell)
Formfaktor
M.2 2280
Schnittstelle
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Merkmale
1 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, Schlafmodus, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVMe 2.0, S.M.A.R.T.
Breite
22 mm
Tiefe
80 mm
Höhe
2.3 mm
Gewicht
9 g
Leistung
SSD-Leistung
600 TB
Übertragungsrate Laufwerk
8 GBps (extern)
Interner Datendurchsatz
7450 MBps (lesen)/ 6900 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read
1200000 IOPS
4 KB Random Write
1550000 IOPS
Zuverlässigkeit
MTBF
1,500,000 Stunden
Erweiterung und Konnektivität
Kompatibles Schaltfeld
M.2 2280
Stromversorgung
Energieverbrauch
5.4 Watt (Lesen)
5 Watt (Schreiben)
50 mW (Leerlauf)
5 mW (L1.2-Modus)
Software & Systemanforderungen
Software inbegriffen
Samsung Magician Software
Verschiedenes
Kennzeichnung
IEEE 1667, FCC, UKCA, cRUus, VCCI, EAC
Verpackungsdetails
Box
Service und Support
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Min. Lagertemperatur
-40 °C
Max. Lagertemperatur
85 °C
Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb
5 - 95 % (nicht kondensierend)
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)
1500 g @ 0,5 ms
Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb)
20 g @ 20-2000 Hz


Travail :

Vitesse d'écriture du média - 6900
Vitesse de lecture du support - 7450
Interface mémoire SSD - PCIe Gen4x4

:
Nom du produit du producteur - 990 PRO

Design :
Taille de la baie SSD - M.2 2280

Détails techniques :
Producteur - Samsung



Samsung 990 PRO MZ-V9P1T0BW - SSD - crypté - 1 To - interne - M.2 2280 - PCIe 4,0 x4 (NVMe) - AES 256 bits - TCG Opal Encryption 2,0 (MZ-V9P1T0BW)



Caractéristiques



  • Facteur de forme SSD : M.2
  • Composant pour :PC/ordinateur portable
  • Capacité SSD : 1 To
  • Type de mémoire : V-NAND MLC
  • Interface :PCI Express 4.0
  • NVMe :Oui
  • Cryptage matériel :Oui



Samsung 990 PRO 1 TB SSD - Disque dur interne
Le SSD 990 PRO de Samsung permet de tirer davantage de son PC à grande vitesse. L'interface NVMe de la 4e génération PCIe - en combinaison avec le contrôleur spécialement développé par Samsung - permet des transferts de données deux fois plus rapides que les disques SSD avec la version précédente PCIe 3.0. En même temps, le SSD n'est pas seulement rapide, il est aussi endurant.



SSD M.2 a une vitesse de lecture de 7450 Mo/s et une vitesse d'écriture de 6900 Mo/s. Le SSD est également équipé d'un format M.2 (2280) avec une interface PCIe -Gen 4,0 x4, NVME 2.0.


  • Vitesse de lecture : 7450 MB/s
  • Vitesse d'écriture : 6900 MB/s
  • Formulaire de construction : M.2 (2280)
  • Interface : PCIe Gen 4.0 X4, NVME 2.0
  • Technologie utilisée : Samsung V7 V-NAND 3-bit MLC
  • Convient pour : Jeux haut de gamme, montage vidéo 4K & 3D


SAMSUNG
Disque dur SSD interne
990 Pro, 1 TB, NVMe M.2 SSD
Disque dur SSD M.2

Interface : PCI Express 4.0
7450 Mo/s en lecture, 6900 Mo/s en écriture



Caractéristiques

Prise en charge de DevSlp (mise en veille de l'appareil)

Oui

Prise en charge de la technologie SMART

Oui

NVMe

Oui

Cryptage matériel

Oui

Vitesse d'écriture

6900 Mo/s

Cache DDR externe

Oui

Temps moyen entre deux pannes (MTBF)

1500000 h

Prise en charge TRIM

Oui

Type de mémoire

V-NAND MLC

Nombre de lignes d'interface PCI Express

x4

Quantité de cache DDR externe

1024 MO

Version NVMe

2.0

Vitesse de lecture

7450 Mo/s

Capacité du SSD

1 TO

Écriture aléatoire (4 KB)

1550000 IOPS

Cryptage/sécurité

aES 256 bits

Interface

PCI Express 4.0

Lecture aléatoire (4 KB)

1200000 IOPS

Format SSD

M.2

Composant pour

PC

Consommation électrique

Consommation électrique (moyenne)

5,4 W

Consommation électrique maximale

7,8 W

Tension de fonctionnement

3,3 V

Poids et dimensions

Largeur

80 mm

Poids

9 g

Hauteur de l'appareil

22 mm

Profondeur

2,3 mm

Détails de l'emballage

Type d'emballage

Boîte

Autres caractéristiques

5 ans/années

Conditions de fonctionnement

Vibrations de fonctionnement

1500 G

Température maximale de fonctionnement

70 °C

Plage de température de fonctionnement (T-T)

0 - 70 °C



Spécifications du produit :

  • Capacité : 1 TB
  • Taille : M.2
  • Interface : PCI Express 4.0

N° de fabricant :MZ-V9P1T0BW



Caractéristiques | Version NVMe : 2.2 | Interface : PCI Express 4.0 | Propriété : NVMe | Type de mémoire : V-NAND MLC | Composant pour : PC | Propriété : cryptage matériel | Vitesse de lecture : 7450 Mo/s | Vitesse d'écriture : 6900 Mo/s | Lecture aléatoire (4KB) : 1200000 IOPS | Ecriture aléatoire (4KB) : 1550000 IOPS | Voies de données d'interface PCI Express : x4 | Propriété : support DevSlp (mise en veille du périphérique) | Propriété : S.M.A.R.T. | Propriété : Prise en charge TRIM | Propriété : Cache DDR externe | Capacité du cache DDR externe : 1024 Mo | Temps moyen entre les défaillances (MTBF) : 1500000 h | Énergie | Tension de fonctionnement : 3.3 V | Consommation électrique (max.) : 7.8 W | Consommation électrique (moyenne) : 5.4 W | Poids et dimensions | Largeur : 80 mm | Profondeur : 2.

1TB Samsung M.

Samsung 990 PRO.2, Vitesse de lecture : 7450 MB/s, Vitesse d'écriture : 6900 MB/s, Composant pour : PC

Découvrez de puissantes performances avec PCIe 4.0 et profitez de vitesses fulgurantes pour battre la concurrence.

Samsung 990 PRO SSD 1TB Module interne à l'état solide, M.2 2280, PCIe 4.0 NVMe

Pour plus d'informations, veuillez consulter la page d'accueil du fabricant !

1 To SSD Samsung 990 Pro M.2 NVMe (MZ-V9P1T0BW) (MZ-V9P1T0BW)

Obtenez des performances maximales avec PCIe 4.
Epr Code
EEE_MEN_CAT6:GROUP:MACIT010000::MACIT030000
EMPAP:E3I
Vitesse de lecture
7450
Vitesse d’écriture
6900
Modèle
MZ-V9P1T0BW              
Fabricant
Plateformes
PS5
Computer
Dimensions
14 hauteur+10 profondeur+2 hauteur
Poids
0.08 kg
Capacité de stockage
1 TB
Numéro de fabricant
MZ-V9P1T0BW
Codes-barres EAN
8806094215021

Epr Code
EEE_MEN_CAT6:GROUP:MACIT010000::MACIT030000
EMPAP:E3I
Vitesse de lecture
7450
Vitesse d’écriture
6900
Modèle
MZ-V9P1T0BW              
Fabricant
Plateformes
PS5
Computer
Dimensions
14 hauteur+10 profondeur+2 hauteur
Poids
0.08 kg
Capacité de stockage
1 TB
Numéro de fabricant
MZ-V9P1T0BW
Codes-barres EAN
8806094215021

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