Samsung 990 PRO 2 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND MLC

L'ultime SSDReach

peak performance with PCIe® 4.0. Faites l'expérience de la vitesse la plus durable, capable de vaincre n'importe quel ennemi. Votre jeu sera toujours à son meilleur

Vitesse PCIe 4.0 maximiséeUn véritable

coup de pouce. Augmente les vitesses de lecture/écriture aléatoires de plus de 40 %' et 55 %' par rapport à la 980 PRO - jusqu'à 1400K/1550K IOPS, tandis que les vitesses de lecture/écriture séquentielles s'accélèrent à 7450/6900 Mo/s pour des performances PCIe® 4.0 presque maximales. Tout est possible : jeux, édition 3D et vidéo, et analyse de données de haut vol.

Dépasse les limites de l'efficacité énergétiqueDécouvrez des

performances qui sont également efficaces. Des performances plus élevées s'accompagnent souvent d'une consommation d'énergie plus importante, mais le 990 PRO consomme moins d'énergie avec une amélioration des performances par watt de plus de 50 % par rapport au 980 PRO. Cette conception à faible consommation permet d'obtenir des performances PCIe® 4.0 maximales, même avec une efficacité énergétique optimale.

Solution de température intelligenteLa

vitesse va au-delà de la chaleur. Son bouton nickelé et son algorithme de contrôle thermique innovant gèrent la température pour offrir des performances étonnantes. L'étiquette diffusant la chaleur contrôle la température de la puce NAND, tandis que son Dynamic Thermal Guard maintient la température optimale.

Fabriqué pour gagnerVivez

la meilleure expérience de jeu possible. L'amélioration des performances aléatoires de plus de 55 % permet un chargement plus rapide des données. Vous bénéficiez ainsi d'un réalisme inégalé dans les jeux PS5 et PC DirectStorage.

Logiciel Samsung MagicianDéclenchez

toute la puissance du 990 PRO. La simplicité des divers outils d'optimisation du logiciel Samsung Magician vous permet d'obtenir les meilleures performances sur votre disque SSD. Protégez vos données, obtenez des mises à jour, surveillez l'état de l'appareil et configurez les couleurs des LED à votre convenance grâce à votre ensemble d'outils SSD personnel.

La première mémoire flash au mondeLes

performances et la fiabilité

supérieures

que vous ne pouvez obtenir qu'auprès de la première marque de mémoire flash au monde depuis 2003. Tous les composants et les microprogrammes sont produits en interne, y compris la DRAM et la NAND de renommée mondiale, pour vous offrir une qualité de bout en bout à laquelle vous pouvez faire confiance.

• Caractéristiques techniques
• Spécifications générales
• Applications
• PC clients, consoles de jeux
• Capacité
• 2 000 Go (1 Go = 1 milliard d'octets par IDEMA) * La capacité réelle utilisable peut être inférieure (en raison du formatage, du partitionnement, du système d'exploitation, etc être inférieure (en raison du formatage, du partitionnement, du système d'exploitation, d'exploitation, d'applications ou autres)
• Format
• M.2 (2280)
• Interface
• PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
• Dimensions
• 80 x 22 x 2,3 mm
• Poids
• Max 9.0g Poids
• Samsung V-NAND 3-bit MLC
• Contrôleur
• Contrôleur interne Samsung
• Mémoire cache
• 2 Go de DDR4 SDRAM à faible consommation d'énergie de Samsung
• Caractéristiques spéciales
• Prise en charge TRIM
• Prise en charge
• Prise en charge S.M.A.R.T
• Pris en charge
• GC (Garbage Collection)
• Algorithme de collecte automatique des déchets
• Cryptage
• Chiffrement AES 256 bits (classe 0)TCG/Opal IEEE1667 (lecteur chiffré)
• WWN
• Non pris en charge
• Prise en charge du mode veille sur l'appareil
• Oui
• Performances
• Lecture séquentielle
• Jusqu'à 7 450 Mo/s * Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système
• Écriture séquentielle
• Jusqu'à 6 900 Mo/s * Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système
• Lecture aléatoire (4 Ko, QD32)
• Jusqu'à 1 400 000 IOPS * Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système
• Écriture aléatoire (4 Ko, QD32)
• Jusqu'à 1 550 000 IOPS * Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système
• Lecture aléatoire (4Ko, QD1)
• Jusqu'à 22 000 IOPS * Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système
• Écriture aléatoire (4 Ko, QD1)
• Jusqu'à 80 000 IOPS * Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système
• Environnement
• Consommation électrique moyenne
• *Moyenne : 5,5 W*Maximale : 8,5 W (mode rafale)* La consommation d'énergie réelle peut varier en fonction du matériel et de la configuration du système
• Consommation électrique (au repos)
• Max. 55 mW * La consommation d'énergie réelle peut varier en fonction du matériel et de la configuration du système
• Tension supportée
• 3.3 V ± 5 % Tension autorisée
• Durabilité (MTBF)
• 1.5 millions d'heures Fiabilité (MTBF)
• Température de fonctionnement
• 0 - 70 ℃ Température de fonctionnement
• Chocs
• 1 500 G & 0,5 ms (demi-sinusoïdal)
• Accessoires
• Kit d'installation
• Logiciel
• Logiciel de gestion
• Logiciel Magician pour la gestion du SSD

Caractéristiques

• Fonctionnalités de protection : Résistant à la chaleur
• Algorithmes de sécurité :AES 256 bits
• Support SMART :Oui
• Vitesse d'écriture : 6 900 Mo/s
• Temps moyen entre les pannes (MTBF) : 1 500 000 h
• Prise en charge de DevSlp (veille de l'appareil) : Oui
• Voies de données de l'interface PCI Express : x4
• Capacité SSD : 2 To
• Facteur de forme SSD : M.2
• Prise en charge de TRIM :Oui
• Vitesse de lecture : 7 450 Mo/s
• Version NVMe :2.0
• Interface :PCI Express 4.0
• Composant pour :PC
• NVMe :Oui
• Lecture aléatoire (4 Ko) :1 400 000 IOPS
• Cryptage matériel :Oui
• Type de mémoire :V-NAND MLC
• Écriture aléatoire (4 Ko) : 1 550 000 IOPS

Puissance

• Tension de fonctionnement : 3,3 V
• Consommation électrique (moyenne) : 5,5 W
• Consommation électrique (inactif) :0,055 W

Conditions de fonctionnement

• Température de fonctionnement maximale : 70 °C
• Température de fonctionnement (TT) :0 - 70 °C
• Choc de fonctionnement :1 500 G

Poids et amp; dimensions

• Largeur :80 mm
• Profondeur :2,3 mm
• Poids :9 g
• Hauteur : 22 mm

Données d'emballage

• Type d'emballage : Boîte

Informations sur cet article

• SSD PCIe 4.0 NVMe puissant pour les jeux haut de gamme sur PC, le montage vidéo 4K et 3D, l'analyse de données et bien plus encore
• Fiabilité élevée et performances durables grâce au dissipateur thermique et à la technologie Dynamic Thermal Guard qui protège contre la surchauffe
• 2 compact (2280), idéal pour les PC (de jeu) et les ordinateurs portables/ultrabooks puissants
• Gestion facile des disques grâce au logiciel Samsung Magician convivial pour les mises à jour des disques et l'optimisation des performances

Samsung 990 PRO 2 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND MLC

Samsung 990 PRO 2 TB SSD - Disque dur interne

Données techniques :

• Forme de construction Solid State Module (SSM)
• Facteur de forme M.2 2280
• Interface M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4)
• Lecture 7450MB/s
• Écriture 6900MB/s SLC-Cached
• IOPS 4K lecture/écriture 1400k/1550k
• Modules mémoire 3D-NAND TLC, Samsung, 176 couches (V-NAND v7)
• TBW 1.2PB
• Prévision de fiabilité 1.5 million d'heures (MTBF)
• Contrôleur Samsung Pascal
• Cache 2GB (LPDDR4), cache SLC
• Protocole NVMe 2.0
• Fonctions de protection des données 256bit AES, TCG Opal 2.0
• Consommation électrique 8.5W (maximum), 5.5W (en fonctionnement), 0.055W (inactif), 0.005W (mode sommeil)
• Dimensions 80x22x2.3mm
• Particularités L1.2 Low Power Standby

• disque dur interne M.2 SSD

SSD PCIe® 4.0 NVMe™ ultra-rapide pour les jeux sur console, l'informatique de bureau, les graphiques haute résolution et autres exigences matérielles élevées
Compatible avec PlayStation® 5 (jusqu'à 7 450 Mo/s en lecture, jusqu'à 6 900 Mo/s en écriture)

Spécifications du produit :

• Capacité : 2 TB
• Taille : M.2
• Interface : PCI Express 4.0

N° de fabricant : MZ-V9P2T0BW

Travail :

Vitesse d'écriture du média - 6900
Vitesse de lecture du support - 7450
Interface mémoire SSD - PCIe Gen4x4

:
Nom du produit du producteur - 990 PRO

Design :
Taille de la baie SSD - M.2 2280

Détails techniques :
Producteur - Samsung

SAMSUNG 990 PRO SSD 2TB M.2 NVMe PCIe 4.0 SSD fiches techniques div.datasheet div.datasheet div.productName div.datasheet td div.datasheet td.value div.datasheet table.head td div.datasheet table.head td.image div.datasheet table.head td.name, div.datasheet table.head td.value div.datasheet table.properties div.datasheet table.properties td.name div.datasheet tr.sectionHead div.datasheet tr.sectionHead td div.datasheet tr.alt-1 div.datasheet tr.marketingText td div.datasheet tr.featuresText ul div.datasheet tr.featuresText li div.datasheet tr.marketingText.sectionHead div.datasheet td.name, div.datasheet td.value diverses clauses de non-responsabilité différentes clauses de non-responsabilité différentes différentes clauses de non-responsabilité et différentes clauses de non-responsabilité et:hover span.code SAMSUNG 990 PRO SSD 2TB M.2 NVMe PCIe 4.0 SSD Producteur SAMSUNG Numéro de pièce du fabricant MZ-V9P2T0BW Total Type d'équipement Disque SSD - interne capacité 2 TO Cryptage matériel Donc Algorithme de cryptage aES 256 bits Type de mémoire flash NAND Cellule à triple niveau (TLC) Facteur de forme M.2 2280 interface PCIe 4.0 x4 (NVMe) Caractéristiques Prise en charge TRIM, mode veille, algorithme de collecte automatique des déchets, protection thermique dynamique, technologie Samsung V-NAND 3bit MLC, cache DRAM LPDDR4 de 2 Go, S.M.A.R.T., NVMe 2.0 largeur 22 mm profondeur 80 mm Hauteur 2,3 mm Poids 9 g services Résistance des SSD 1200 TB Vitesse de transfert du disque 8 GBit/s (externe) Taux de transfert de données interne 7450 Mbit/s (lecture) / 6900 Mbit/s (écriture) lecture aléatoire de 4 Ko 1400 000 IOPS écriture aléatoire de 4 Ko 1550 000 IOPS fiabilité MTBF 1 500 000 heures Extension et connectivité Arbre compatible M.2 2280 Puissance Consommation électrique 5,8 watts (lecture) 5,1 watts (écriture) 55 mW (au repos) 5 mW (mode L1.2) Configuration logicielle et système requise Logiciel inclus Logiciel Samsung Magician Divers Normes raisonnables VCCI, FCC, EAC, cRUus, IEEE 1667, UKCA Détails de l'emballage Chariot Service et support Paramètres d'environnement Température minimale de fonctionnement 0 °C Température maximale de fonctionnement 70 °C -40 °C 85 °C Distance d'humidité de fonctionnement 5 - 95 % (sans condensation) Résistance aux chocs (non fonctionnel) 1500 g à 0,5 ms Résistance aux vibrations (hors fonctionnement) 20g à 20-2000Hz Données techniques fournies par un tiers. Nous déclinons toute responsabilité en cas d'erreur dans ces données.

Obtenez les performances maximales de PCIe 4.0. Faites l'expérience d'une vitesse adverse plus durable. La régulation thermique intelligente du contrôleur maison assure une efficacité énergétique maximale tout en maintenant une vitesse et des performances élevées, pour que vous puissiez rester au sommet de votre jeu. Caractéristiques techniques Fabricant Samsung Capacité 2TB (correspond à env. 1862.65GiB ou 1.82TiB, informations complémentaires àsujet) Forme de construction Solid State Module (SSM) Facteur de forme M.2 2280 Interface M.2/?M-Key (PCIe 4.0 x4) Lecture 7450MB/?s Écriture 6900MB/s SLC-Cached IOPS 4K 1400k en lecture, 1550k en écriture Modules mémoire 3D-NAND TLC, Samsung, 176 couches (V-NAND v7) TBW 1.2PB Prévision de fiabilité 1,5 million d'heures (MTBF) Contrôleur Samsung Pascal Cache 2GB (LPDDR4), SLC-Cache Protocole NVMe 2.0 Fonctions de protection des données 256bit AES, TCG Opal 2.0 Consommation électrique 8.5W (maximum), 5.5W (en fonctionnement), 55mW (inactif), 5mW (mode sommeil) Dimensions 80x22x2.3mm (sans dissipateur thermique) Particularités L1.2 Low-Power-Standby

Caractéristiques | Version NVMe : 2.2 | Interface : PCI Express 4.0 | Propriété : NVMe | Type de mémoire : V-NAND MLC | Composant pour : PC | Propriété : cryptage matériel | Vitesse de lecture : 7450 Mo/s | Vitesse d'écriture : 6900 Mo/s | Lecture aléatoire (4KB) : 1400000 IOPS | Ecriture aléatoire (4KB) : 1550000 IOPS | Voies de données d'interface PCI Express : x4 | Propriété : support DevSlp (mise en veille du périphérique) | Propriété : S.M.A.R.T. | Propriété : support TRIM | Durée moyenne entre les défaillances (MTBF) : 1500000 h | Fonction de protection : résistant à la chaleur | Énergie | Tension de fonctionnement : 3.3 V | Consommation d'énergie (moyenne) : 5.5 W | Consommation d'énergie (idle) : 0.055 W | Poids et dimensions | Largeur : 80 mm | Profondeur : 2.3 mm | Hauteur : 22 mm | Poids : 9 g | Données d'emballage | Type d'emballage : boîte | Conditions de fonctionnement | Température de fonctionnement : 0 - 70 °C | Température de fonctionnement maximale : 70 °C | Résistance aux chocs en fonctionnement : 1500 G |

Samsung 990 PRO MZ-V9P2T0BW - SSD - crypté - 2 To - interne - M.2 2280 - PCIe 4.0 x4 (NVMe) - AES 256 bits - TCG Opal Encryption 2.0

Samsung 990 PRO.2, Vitesse de lecture : 7450 MB/s, Vitesse d'écriture : 6900 MB/s, Composant pour : PC

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