Samsung MZ-V9S4T0 4 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

Une vitesse spectaculaire au quotidien
Exécutez vos tâches plus rapidement. le 990 EVO Plus avec la dernière NAND des vitesses de lecture/écriture séquentielles boostées jusqu'à 7 250/6 300 Mo/s. Des fichiers volumineux, un transfert instantané.

Maintien de la fraîcheur et de la puissance tout au long de la journée
Efficacité optimisée, performances étendues. Le contrôleur à revêtement nickelé augmente de 73 % le nombre de Mo/s par watt par rapport au 990 EVO,qui permet d'atteindre le même niveau de puissance et le même contrôle thermique tout en consommant moins d'énergie. Restez concentré sur votre travail ou vos loisirs sans vous soucier de la surchauffe ou de l'autonomie de la batterie.

Espace supplémentaire. Exploitez toute la puissance de votre disque grâce à la technologie Intelligent TurboWrite 2.0. Traitez les données massives plus rapidement et faites passer les graphiques lourds avec une région TurboWrite élargie, désormais en capacité de 4 To.

Le logiciel Samsung Magician
Faites fonctionner votre disque SSD comme par magie. Les outils d'optimisation du logiciel Samsung Magician garantissent les meilleures performances du SSD. C'est un moyen sûr et facile de migrer toutes vos données pour une mise à niveau du SSD Samsung. Protégez vos données précieuses, surveillez l'état de votre disque et obtenez les dernières mises à jour du micrologiciel.

Donner vie aux innovations
Depuis des décennies, la mémoire flash NAND de Samsung est à l'origine de technologies révolutionnaires qui ont changé chaque aspect de notre vie quotidienne. Cette technologie flash NAND équipe également nos disques SSD grand public, laissant la place à la prochaine grande vague d'innovation.

Performances
Jusqu'à 7 250 Mo/s de vitesse de lecture séquentielle, soit 45 % de plus que le modèle précédent, le 990 EVO.

Efficacité énergétique
Efficacité énergétique améliorée de 73 % par rapport au 990 EVO pour plus de Mo/s par watt, tout en maintenant les performances et le contrôle thermique.

Versatilité
Jusqu'à 4 To de capacité et rapide Intelligent TurboWrite 2.0.Samsung MZ-V9S4T0. Capacité SSD : 4 To, Facteur de forme SSD : M.2, Vitesse de lecture : 7150 MB/s, Vitesse d'écriture : 6300 MB/s, Composant pour : PC

Fonctions de base Application Capacité : 4000 Go (1 Go = 1 milliard d'octets par IDEMA) * La capacité réelle utilisable peut être inférieure (en raison du formatage, du partitionnement, du système d'exploitation, des applications, etc.) Design : M.2 (2280) Interface : PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0 Dimensions (LxHxP) : 80,15 x 22,15 x 2,38 (mm) Poids : Max. 9,0 g age : Samsung V-NAND TLC Contrôleur interne Samsung Cache : HMB (Host Memory Buffer)

Caractéristiques spéciales Prise en charge TRIM : Prise en charge Prise en charge S.M.A.R.T : Prise en charge GC (Garbage Collection) : Algorithme de collecte automatique des déchets Prise en charge du cryptage : AES 256 bits (classe 0) TCG/Opal IEEE1667 (disque crypté) Prise en charge WWN : Non prise en charge Prise en charge du mode veille de l'appareil : Oui

Performances Lecture séquentielle : jusqu'à 7250 Mo/s * Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système Écriture séquentielle : Jusqu'à 6300 Mo/s * Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système Lecture aléatoire (4 Ko, QD32) : jusqu'à 1 050 000 IOPS * Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système Écriture aléatoire (4 Ko, QD32) : jusqu'à 1 400 000 IOPS * Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système

Environnement Consommation électrique moyenne (au niveau du système) : * Moyenne : 5,5 W en lecture / 4,8 W en écriture * La consommation électrique réelle peut varier en fonction du matériel et de la configuration du système Consommation d'énergie (au repos) : typiquement 60 mW * La consommation d'énergie réelle peut varier en fonction du matériel et de la configuration du système Consommation d'énergie (veille du dispositif) : typiquement 5 mW * La consommation d'énergie réelle peut varier en fonction du matériel et de la configuration du système Tension admissible : 3,3 V ± 5 % Tension admissible Fiabilité (MTBF) : 1,5 million d'heures fiabilité (MTBF) Température de fonctionnement : 0-70°C Chocs : 1 500 G & 0,5 ms (demi-sinusoïdal) Kit d'installation : Non

Logiciel Logiciel de gestion : Magicien, logiciel de gestion des disques durs

Caractéristiques

• Composant pour :PC
• Lecture aléatoire (4 Ko) :850 000 IOPS
• Vitesse de lecture :7 150 Mo/s
• Interface : PCI Express 4.0
• Version NVMe :2.0
• Écriture aléatoire (4 Ko) :1350000 IOPS
• Prise en charge de TRIM :Oui
• Vitesse d'écriture :6 300 Mo/s
• Type de mémoire :V-NAND TLC
• NVMe :Oui
• Taille du SSD M.2 : 2 280 (22 x 80 mm)
• Capacité du SSD : 4 To
• Algorithmes de sécurité : AES 256 bits
• INTELLIGENT support :Oui
• Matériel cryptage : Oui
• Facteur de forme SSD : M.2
• Temps moyen entre pannes (MTBF) : 1 500 000 h

Conditions de fonctionnement

• Température de fonctionnement (TT) : 0 - 70 °C

Poids et dimensions

• Poids : 9 g
• Profondeur : 2,38 mm
• Largeur : 80,2 mm
• Hauteur : 22,1 mm

Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - crypté - 4 To - interne - M.2 2280 - PCIe 5,0 x2 (NVMe) - AES 256 bits - TCG Opal Encryption 2,0 (MZ-V9S4T0)

Spécifications du produit :

• Capacité : 4 TB
• Taille : M.2
• Interface : PCI Express 4.0

N° de fabricant : MZ-V9S4T0BW

Détails techniques :
Producteur - Samsung

4TB Samsung M. 2 PCI-E NVMe Gen4 990 EVO Plus Retail - Un SSD 4TB Samsung M. 2 PCI-E NVMe Gen4 990 EVO Plus vendu au détail.

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