Capacité de stockage:

2 TB

Samsung 990 EVO M.2 2 To PCI Express 4.0 V-NAND TLC NVMe

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En savoir plus sur le produit

Description et données du produit

990 EVO

Performances

Passez à une vitesse de lecture séquentielle plus rapide pouvant atteindre 5 000 Mo/s, soit 43 % de plus que le modèle précédent.

La phrase "70% amélioré" est inscrite à l'intérieur des lignes superposées qui dessinent un cercle.

Efficacité énergétique

Efficacité énergétique améliorée de 70 % par rapport au modèle précédent, permettant un mode veille moderne et une plus longue durée de vie de la batterie.

Les mots "Jouer, travailler, créer" sont inscrits sur une souris de jeu, un camembert et une tablette.

Polyvalence

Améliorez vos performances quotidiennes en matière de jeu, de travail et de création grâce à la prise en charge de PCIe® 4.0 x4 et PCIe® 5.0 x2.

Une vitesse qui garde une longueur d'avance

Attendez moins longtemps pour jouer et accédez rapidement aux fichiers volumineux.

Efficacité énergétique évoluée

Tournez à droite et continuez. Avec une amélioration remarquable de 70 % de l'efficacité énergétique par rapport au modèle précédent, calculez plus longtemps sans vous soucier de l'autonomie de la batterie. De plus, il prend en charge la veille moderne,qui vous permet de rester connecté à Internet et de continuer à recevoir des notifications, même lorsque la consommation d'énergie est faible.

Solution thermique intelligente

L'étiquette du dissipateur thermique du 990 EVO facilite la gestion thermique de la puce NAND. L'algorithme de contrôle thermique de pointe de Samsung, associé au système Dynamic Thermal Guard, garantit des performances constantes et fiables. Faites chauffer vos performances, pas votre disque.

Logiciel Samsung Wizard

Faites fonctionner votre SSD comme par magie. Les outils d'optimisation du logiciel Samsung Magician garantissent les meilleures performances du SSD. C'est le moyen le plus simple et le plus sûr de migrer toutes vos données en vue d'une mise à niveau du SSD Samsung. Protégez vos données précieuses, surveillez l'état de votre disque et obtenez les dernières mises à jour du micrologiciel.

Donner vie aux innovations

Depuis des décennies, la mémoire flash NAND de Samsung alimente des technologies innovantes qui ont changé tous les aspects de notre vie quotidienne. Cette technologie flash NAND équipe également nos disques SSD grand public, laissant la place à la prochaine grande vague d'innovation.


Spécifications

  • Facteur de forme
  • M.2
  • Capacité
  • 2 TO
  • Vitesse de lecture séquentielle
  • Jusqu'à 5 000 Mo/s
  • Vitesse d'écriture séquentielle
  • Jusqu'à 4200 Mo/s
  • INTERFACE
  • PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0
  • DIMENSIONS (LxHxPxD)
  • 80x22x2.38mm
  • POIDS
  • Poids maximum 9,0 g
  • Samsung V-NAND TLC
  • CONTRÔLEUR
  • Contrôleur interne Samsung
  • CACHE MÉMOIRE
  • HMB (tampon de mémoire hôte)
  • Fonctionnalité spéciale
  • PRISE EN CHARGE DE L'ÉCRÊTAGE
  • Prise en charge
  • SUPPORT SMART
  • Prise en charge
  • GC
  • Algorithme de collecte automatique des déchets
  • PRISE EN CHARGE DU CRYPTAGE
  • Cryptage AES 256 bits (classe 0) TCG/Opal IEEE1667 (lecteur crypté)
  • PRISE EN CHARGE DU WWN
  • Non pris en charge
  • PRISE EN CHARGE DU MODE VEILLE DE L'APPAREIL
  • Oui
  • Performance 2)
  • LECTURE SÉQUENTIELLE
  • 2 TB : jusqu'à 5000 MB/s
  • ÉCRITURE SÉQUENTIELLE
  • 2 TB : jusqu'à 4200 MB/s
  • LECTURE ALÉATOIRE (4KB, QD32)
  • 2 To : jusqu'à 700 000 IOPS
  • ÉCRITURE ALÉATOIRE (4KB, QD32)
  • 2 To : jusqu'à 800 000 IOPS
  • LECTURE ALÉATOIRE (4KB, QD1)
  • 2 To : jusqu'à 20 000 IOPS
  • ÉCRITURE ALÉATOIRE (4KB, QD1)
  • 2 To : jusqu'à 90 000 IOPS
  • CONSOMMATION D'ÉNERGIE MOYENNE
  • (AU NIVEAU DU SYSTÈME) 3)
  • 2 To : Moyenne : lecture 5,5 W/écriture 4,7 W
  • CONSOMMATION D'ÉNERGIE (AU REPOS) 3)
  • 2 To : consommation typique de 60 mW
  • CONSOMMATION D'ÉNERGIE (APPAREIL EN VEILLE)
  • 2 To : typique 5 mW
  • TENSION AUTORISÉE
  • 3,3 V ± 5 % Tension admissible
  • FIABILITÉ (MTBF)
  • 1,5 million d'heures de fiabilité (MTBF)
  • TEMPÉRATURE DE FONCTIONNEMENT
  • 0 - 70 ℃ température de fonctionnement
  • CHOC
  • 1.500 G et 0,5 ms (demi-sinus)
  • KIT D'INSTALLATION
  • Logiciel
  • LOGICIEL DE GESTION
  • Logiciel Magician pour la gestion du SSD



Détails techniques




    Caractéristiques



    • Type de mémoire : V-NAND TLC
    • Chiffrement matériel :Oui
    • NVMe :Oui
    • Algorithmes de sécurité :256- bit AES
    • Composant pour :Universel
    • Temps moyen entre pannes (MTBF):1500000 h
    • Capacité SSD :2 To
    • PCI Voies de données de l'interface express : x4
    • Support SMART :Oui
    • Facteur de forme SSD :M.2
    • Révision PCI Express CEM :4.0
    • Vitesse d'écriture : 4 200 Mo/s
    • Vitesse de lecture : 5 000 Mo/s
    • Interface : PCI Express 4.0
    • Version NVMe : 2.0
    • Taille du SSD M.2 : 2 280 (22 x 80 mm)
    • Indice TBW : 1 200
    • Support TRIM :Oui

    Puissance



    • Consommation électrique (lecture) :5,5 W
    • Consommation électrique (écriture) :4,7 W
    • Tension de fonctionnement :3,3 V
    • Consommation électrique (veille) :0,005 W
    • Consommation électrique (inactif) :0,06 W

    Conditions de fonctionnement



    • Humidité relative de fonctionnement (HH):5 - 95 %
    • Température de fonctionnement (TT) :0 - 70 °C
    • Vibration hors fonctionnement :20 G
    • Choc hors fonctionnement : 1 500 G

    Poids et amp; dimensions



    • Hauteur :2,38 mm
    • Largeur :80,2 mm
    • Poids :9 g
    • Profondeur : 22,1 mm

    Données d'emballage



    • Type d'emballage : Boîte



    Allgemein
    Gerätetyp
    Solid State Drive - intern
    Kapazität
    2 TB
    Hardwareverschlüsselung
    Ja
    Verschlüsselungsalgorithmus
    256-Bit-AES
    NAND-Flash-Speichertyp
    TLC (Triple-Level Cell)
    Formfaktor
    M.2 2280
    Schnittstelle
    PCIe 5.0 x2 (NVMe)
    Merkmale
    TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Geräte-Schlafunterstützung, Samsung V-NAND TLC Technology, 2 GB LPDDR4 DRAM Cache, Dynamic Thermal Guard protection, S.M.A.R.T.
    Breite
    22 mm
    Tiefe
    80 mm
    Höhe
    2.38 mm
    Gewicht
    9 g
    Leistung
    Interner Datendurchsatz
    5000 MBps (lesen)/ 4200 MBps (Schreiben)
    4 KB Random Read
    22000 IOPS
    4 KB Random Write
    90000 IOPS
    Maximal 4 KB Random Write
    800000 IOPS
    Maximal 4 KB Random Read
    700000 IOPS
    Erweiterung und Konnektivität
    Kompatibles Schaltfeld
    M.2 2280
    Stromversorgung
    Energieverbrauch
    5.4 Watt (Lesen)
    4.7 Watt (Schreiben)
    Software & Systemanforderungen
    Software inbegriffen
    Samsung Magician Software
    Verschiedenes
    Kennzeichnung
    IEEE 1667
    Verpackungsdetails
    Box
    Service und Support
    Umgebungsbedingungen
    Min Betriebstemperatur
    0 °C
    Max. Betriebstemperatur
    70 °C
    Schocktoleranz (nicht in Betrieb)
    1500 g @ 0,5 ms


    Samsung 990 EVO 2 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC



    Samsung 990 EVO 2 TB

    SSD interne puissant et fiable d'une capacité de 2 To. Doté d'un contrôleur puissant et de la technologie d'écriture intelligente Turbo Write, il peut prendre en charge les travaux graphiques les plus exigeants. Avec les interfaces PCIe 4.0 x4 et PCIe 5. Il en résulte un chargement beaucoup plus rapide des applications et des jeux, ainsi que le transfert et la sauvegarde de données volumineuses.

    SPÉCIFICATIONS DE BASE

    Capacité : 2 To
    Format du disque : M.2 (2280)
    Interface : M.2 (NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4/ PCIe 5.0 x2)
    Vitesse de lecture : 5000 Mo/s
    Vitesse d'écriture : 4200 Mo/s



    Le Samsung 990 EVO PCIE 4.0 x4 / 5,0 x2 nvme M.


    • Vitesses de lecture/écriture séquentielles jusqu'à 5000/4200 Mo/s
    • Vitesses de lecture/écriture aléatoires jusqu'à 700.000/800.000 IOPS
    • Jusqu'à 43% plus rapide que le SSD 970 EVO Plus
    • Prise en charge des interfaces PCIe 4.0 X4 et PCIe 5.0 x2


    Samsung 990 EVO 2 TB SSD - Disque dur interne
    Le SSD Samsung 990 EVO NVMe M.000/800.000 IOPS. Grâce à la prise en charge des interfaces PCIe 4.0 x4 et PCIe 5.



    Spécifications du produit :

    • Capacité : 2 TB
    • Taille : M.2
    • Interface : PCI Express 4.0

    N° de fabricant : MZ-V9E2T0BW



    Caractéristiques | NVMe Version : 2.2 | Interface : PCI Express 4.0 | Propriété : NVMe | Type de mémoire : V-NAND TLC | Composant pour : Universal | Propriété : Chiffrement matériel | M.2 SSD- Taille : 2280 (22 x 80 mm) | Vitesse de lecture : 5000 MB/s | Vitesse d'écriture : 4200 MB/s | Interface PCI Express voies de données : x4 | PCI Express CEM Révision : 4.0 | Propriété : support S.M.A.R.T. | Propriété : support TRIM | Durée moyenne entre les défaillances (MTBF) : 1500000 h | Note TBW : 1200 | Énergie | Tension de fonctionnement : 3.3 V | Consommation d'énergie (lecture) : 5.5 W | Consommation d'énergie (écriture) : 4.7 W | Consommation d'énergie (mode veille) : 0.005 W | Consommation d'énergie (idle) : 0.06 W | Poids et dimensions | Largeur : 80.2 mm | Profondeur : 22.1 mm | Hauteur : 2.

    Samsung 990 EVO MZ-V9E2T0BW - SSD - crypté - 2 To - interne - M.2 2280 - PCIe 5.0 x2 (NVMe) - AES 256 bits - TCG Opal Encryption 2.0

    Samsung 990 EVO.2, Vitesse de lecture : 5000 MB/s, Vitesse d'écriture : 4200 MB/s, Composant pour : Universal

    SSD 2TB Samsung M. 2, interface PCI-E et technologie NVMe Gen4 de Samsung.

    Une vitesse qui garde une longueur d'avance...

    Pour plus d'informations, veuillez consulter la page d'accueil du fabricant !
    Vitesse de lecture
    5000
    Vitesse d’écriture
    4200
    Modèle
    990EVO
    Fabricant
    Plateformes
    Computer
    Poids
    0.009 kg
    Capacité de stockage
    2 TB
    Numéro de fabricant
    MZ-V9E2T0BW
    Codes-barres EAN
    8806095300269

    Vitesse de lecture
    5000
    Vitesse d’écriture
    4200
    Modèle
    990EVO
    Fabricant
    Plateformes
    Computer
    Poids
    0.009 kg
    Capacité de stockage
    2 TB
    Numéro de fabricant
    MZ-V9E2T0BW
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