Samsung MZ-V9P2T0 M.2 2 TB PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe

Le nec plus ultra des professionnels
Atteignez des performances maximales avec PCIe 4.

Tirez le meilleur parti de PCIe 4.0
Par rapport au 980 PRO, il augmente de 40 % les lectures séquentielles et de 55 % les écritures séquentielles. Il en résulte des vitesses élevées de 1550K et 1400K IOPS ou 7450 et 6900 MB/s en lecture et écriture séquentielles, approchant les vitesses théoriques maximales de l'interface PCIe 4.0 elle-même. Ainsi, vos jeux préférés, vos résultats d'analyse de données, vos vidéos et vos modèles 3D seront chargés avant même que vous ne puissiez parler de SSD.

Efficacité énergétique révolutionnaire
La conception améliorée et l'efficacité accrue de 50 % par unité de performance par rapport au 980 PRO signifient que le disque peut exploiter tout le potentiel de PCIe 4.0 sans avoir à faire face à une consommation d'énergie élevée et à l'augmentation rapide des températures ou des s d'électricité qui en résultent.

Système intelligent de dissipation de la chaleur
Le 990 PRO est doté de l'algorithme de contrôle thermique de pointe de Samsung qui gère de manière fiable l'état thermique de la puce NAND et le répartiteur de chaleur pour maintenir la puce au frais, tandis que la fonction Dynamic Thermal Guard surveille automatiquement la température du disque et optimise sa vitesse en temps réel pour obtenir les meilleurs résultats possibles en termes de performances et de refroidissement.

Paramètres et spécifications :
Capacité : 2 To
M. 2 2280
Interface : PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
Contrôleur : Contrôleur interne Samsung
NAND Flash : Samsung V-NAND 3-bit MLC
Cache : Samsung 1GB Low Power DDR4 SDRAM
Prise en charge du cryptage : cryptage AES 256 bits (classe 0) TCG/Opal IEEE1667 (disque crypté)

Vitesse séquentielle :
o Lecture (Max) : 7450 MB/s
o Écriture (max) : 6900 Mo/s

Nombre maximum d'opérations de lecture et d'écriture d'E/S aléatoires par par seconde :
o Lecture : 1.400.000 IOPS (4KB, QD32)
o Lecture : 22 000 IOPS (4 Ko, QD1)
o Écriture : 1 550 000 IOPS (4 Ko, QD32)
o Ecriture : 80 000 IOPS (4Ko, QD1)

Consommation :
Consommation moyenne : 5,5 W
Au repos : 55mW

Chocs : 1 500 G & 0,5 ms (demi-sinusoïdal)
MTBF : 1 500 000 heures
Température de fonctionnement : 0°C à 70°C

Autres caractéristiques
- TRIM
- S.M.A.R.T
- Algorithme de collecte automatique des déchets
- Chiffrement AES 256 bits (classe 0) TCG/Opal IEEE1667 (disque chiffré)

Dimensions : 80 x 24,3 x 8,2 mm (avec dissipateur thermique)
Poids : 28 g

Samsung | 990 PRO avec dissipateur thermique | 2000 Go | Format SSD M.2 2280 | Interface SSD M.

Vitesse d'écriture du support - 6900
Vitesse de lecture du support - 7450
Interface mémoire SSD - M.2 NVMe

:
Nom du produit du producteur - 990 PRO with Heatsink

Design :
Taille de la baie SSD - M.2 2280

Détails techniques :
Producteur - Samsung

• Caractéristiques du boîtier / Profondeur brute (mm) : 80.00 mm
• Caractéristiques de l'emballage / Hauteur brute (mm) : 8.20 mm
• Caractéristiques de l'emballage / Largeur brute (mm) : 24.30 mm
• Caractéristiques de l'emballage / Quantité d'emballage : 1.00 pcs.
• Caractéristiques de l'emballage / Papier/Carton : 8.00 g
• Caractéristiques de l'emballage / Plastique (pas de PET) : 2.00 g
• Caractéristiques de l'emballage / Poids de tare (kg) : 0,01 kg
• Caractéristiques de l'emballage / Volume (m3) : 0.00 m³
• Caractéristiques de l'emballage / Batterie intégrée : Non
• Caractéristiques de l'emballage / Taxe DEEE : CL109:6:2017-04-01
• Caractéristiques de l'emballage / Palette Qté : 26316 pcs.
• Caractéristiques de l'emballage / PET : 20.00 g
• Caractéristiques techniques / Poids brut : 0,04 kg
• Caractéristiques techniques / Poids net : 0,03 kg
• Caractéristiques techniques / Fabricant : Samsung
• Travail / Vitesse d'écriture du média : 6900 MB/s
• Travail / Vitesse de lecture des médias : 7450 Mo/s
• Fonctionnement / Interface mémoire SSD : M.2 NVMe
• Nom du produit du producteur : 990 PRO with Heatsink
• Connectivité / Solutions de communication standard : PCIe Gen 4.0 x4
• Design / Taille de la baie SSD : M.2 2280

Samsung 990 PRO MZ-V9P2T0GW - SSD - crypté - 2 To - interne - M.2 2280 - PCIe 4,0 x4 (NVMe) - AES 256 bits - TCG Opal Encryption 2,0 - intégré

Application : PC clients, consoles de jeux
Capacité : 2 000 Go (1 Go = 1 milliard d'octets par IDEMA)
Facteur de forme : M.2 (2280)
Interface : PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
Dimensions (LxHxP) : 80 x 24,3 x 8,2 mm (avec dissipateur thermique)
Poids : Max 28.0g Poids

Contrôleur : Contrôleur interne Samsung
Mémoire cache : Samsung 2GB Low Power DDR4 SDRAM

SAMSUNG
Disque dur interne M.2 SSD
990 PRO NVMe™ M.2 SSD - 2 To
Disque dur M.2 SSD

Interface : PCI Express 4.0
7450 Mo/s en lecture, 6900 Mo/s en écriture

SAMSUNG 990 PRO avec dissipateur thermique PCIe 4.0 NVMe SSD 2TB (Character Box)

2 2280 - PCIe 4.0 x4 (NVMe) - AES 256 bits - TCG Opal Encryption 2.0 - dissipateur thermique intégré - pour Sony PlayStation 5 groupe disques durs Fabricant Samsung Art. MZ-V9P2T0GW Modèle 990 PRO MZ-V9P2T0GW EAN/UPC 8806094594652 Description du produit : Samsung 990 PRO MZ-V9P2T0GW - SSD - 2 To - PCIe 4.0 x4 (NVMe) Type de disque SSD - interne Capacité 2 To Dissipateur thermique intégré Oui Chiffrement matériel Oui Algorithme de chiffrement 256-bit AES Type de mémoire flash NAND Multi-Level-Cell (MLC) Facteur de forme M.2 2280 Interface PCIe 4.0 x4 (NVMe) Caractéristiques Mode veille, Algorithme de récupération automatique des données, Protection Dynamic Thermal Guard, Technologie Samsung V-NAND 3bit MLC, Cache DDR4 SDRAM à faible consommation de 2 Go, S.M.A.R.T., NVMe 2.0 Dimensions (largeur x profondeur x hauteur) 24.3 mm x 80 mm x 8.2 mm Poids 28 g Conçu pour Sony PlayStation 5 Détails détaillés Généralités Type de périphérique Solid State Drive - interne Capacité 2 To Chiffrement matériel Oui Algorithme de chiffrement AES 256 bits Type de mémoire flash NAND Multi-Level-Cell (MLC) Dissipateur thermique intégré Oui Facteur de forme M.2 2280 Interface PCIe 4.0 x4 (NVMe) Caractéristiques Mode veille, Algorithme de récupération automatique des données, Protection Dynamic Thermal Guard, Technologie Samsung V-NAND 3bit MLC, Cache DDR4 SDRAM à faible consommation de 2 Go, S.M.A.R.T, NVMe 2.0 Largeur 24.3 mm Profondeur 80 mm Hauteur 8.2 mm Poids 28 g Performance Débit interne 7450 MBps (lecture)/ 6900 MBps (écriture) Maximum 4 KB Random Write 1550000 IOPS Maximum 4 KB Random Read 1400000 IOPS Fiabilité MTBF 1,500,000 heures Extension et connectivité Interfaces PCI Express 4.0 x4 (NVMe) Panneau compatible M.2 2280 Alimentation Consommation d'énergie 5,8 watts (lecture) 5,1 watts (écriture) 55 mW (inactif) 5 mW (mode L1.2) Logiciel et configuration requise Logiciel inclus Logiciel Samsung Magician Divers Marquage IEEE 1667 Détails de l'emballage Boîte Conditions d'environnement Température de fonctionnement min. 0 °C Température de fonctionnement max.

Caractéristiques | Version NVMe : 2.0 | Algorithmes de sécurité pris en charge : 256-bit AES | Facteur de forme SSD : M.0 | Propriété : NVMe | Type de mémoire : V-NAND MLC | Composant pour : PC | Propriété : Chiffrement matériel | M.2 SSD- Taille : 2280 (22 x 80 mm) | Vitesse de lecture : 7450 MB/s | Vitesse d'écriture : 6900 MB/s | Lecture aléatoire (4KB) : 1400000 IOPS | Ecriture aléatoire (4KB) : 1550000 IOPS | Propriété : Support DevSlp (mise en veille du périphérique) | Propriété : S.M.A.R.T. Prise en charge | Propriété : prise en charge TRIM | Temps moyen entre les défaillances (MTBF) : 1500000 h | Énergie | Tension de fonctionnement : 3.3 V | Consommation électrique (max.) : 7.8 W | Consommation électrique (moyenne) : 5.4 W | Conditions de fonctionnement | Température de fonctionnement : 0 - 70 °C | Résistance aux chocs en fonctionnement : 1500 G | Poids et dimensions | Largeur : 80 mm | Profondeur : 8.2 mm | Hauteur : 24.3 mm | Poids : 28 g |

Samsung MZ-V9P2T0.2, Vitesse de lecture : 7450 MB/s, Vitesse d'écriture : 6900 MB/s, Composant pour : PC

Notre meilleur SSD. Atteignez des performances presque maximales avec PCIe®4.0....