Module de mémoire Silicon Power SP008GBLFU320X02 8 Go (1 x 8 Go) DDR4 3200 MHz

Caractéristiques

• Composant pour : PC/serveur
• Facteur de forme de la mémoire : DIMM 288 broches
• Mémoire interne type : DDR4
• Type de mémoire tampon :Non enregistré (sans tampon)
• Mémoire interne :8 Go
• Latence CAS :22
• Disposition de la mémoire (modules x taille) : 1 x 8 Go
• Vitesse d'horloge de la mémoire :3 200 MHz
• ECC :Non
• Rétroéclairage :Non
• Tension de mémoire : 1,2 V

Autres caractéristiques

• Code du Système harmonisé (HS) :84733020

SILICON POWER DDR4 8GB 3200MHz CL22 DIMM 1.2V fiches techniques div div.datasheet div.productName div.datasheet td div.datasheet td.value div.datasheet table.head td div.datasheet table.head td.image div.datasheet table.head td.name, div.datasheet table.head td.value div.datasheet table.properties div.datasheet table.properties td.name div.datasheet tr.sectionHead div.datasheet tr.sectionHead td div.datasheet tr.alt-1 div.datasheet tr.marketingText td div.datasheet tr.featuresText ul div.datasheet tr.featuresText li div.datasheet tr.marketingText.sectionHead div.datasheet td.name, div.datasheet td.value diverses clauses de non-responsabilité différentes clauses de non-responsabilité différentes différentes clauses de non-responsabilité et différentes clauses de non-responsabilité et:hover span.code SILICON POWER DDR4 8GB 3200MHz CL22 DIMM 1.2V Producteur SILICON POWER COMPUTER and COMMUNICAT Numéro de pièce du fabricant SP008GBLFU320X02 Description marketing En outre, la technologie DDR4 est jusqu'à deux fois plus rapide que son prédécesseur DDR3,qui garantit un débit plus élevé et une meilleure efficacité énergétique. La simple mise à niveau permet un chargement plus rapide des applications, une plus grande réactivité et la possibilité de travailler facilement avec des programmes gourmands en données. Total capacité totale 8 GO Type de mise à niveau Total mémoire type de module Module de mémoire DRAM technologie DDR4 SDRAM Facteur de forme DIMM 288 broches vitesse 3200 MHz (PC4-25600) Temps de latence CL22 Contrôle de l'intégrité des données Non-ECC Caractéristiques Non-cachable Tension 1,2 V Divers Normes raisonnables FCC, RoHS, WEEE, Point vert, JEDEC Service et assistance Données techniques fournies par un tiers. Nous n'assumons aucune responsabilité en cas d'erreurs dans ces données.

Caractéristiques principales \r \r Caractéristiques \r Mémoire RAM 8 Go \r Disposition de la mémoire (modules x taille) 1 x 8 Go \r Type de mémoire interne DDR4 \r Fréquence d'horloge de la mémoire 3200 MHz \r Composant pour PC / serveur \r Facteur de forme de la mémoire 288-pin DIMM \r ECC Non \r Type de mémoire tampon non enregistrée (non bufférisée) \r Latence CAS 22 \r Tension de la mémoire 1.2 V \r Rétroéclairage Non \r FCC, Green dot, WEEE, RoHS \r

SILICON POWER - DDR4 - Module - 8 Go - DIMM 288-PIN - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - sans tampon - non-ECC