Samsung MZ-75E250B/EU SSD 250GB 520/540 850 EVOBasic SA3 SAM

Qu'est-ce que la technologie 3D V-NAND et en quoi diffère-t-elle de la technologie de mémoire actuelle ?
L'architecture de mémoire flash 3D V-NAND unique et innovante de Samsung surmonte les limites de l'architecture NAND planaire en termes de densité de mémoire, de performance et de durée de vie.

Avec la 850 EVO, optimisez votre travail quotidien sur ordinateur grâce à la vitesse de lecture et d'écriture inégalée de la technologie TurboWrite.
Profitez chaque jour d'un maximum de performances de lecture et d'écriture avec la technologie TurboWrite de Samsung. Outre des performances globales supérieures de plus de 10 % à celles de la 840 EVO*, les écritures aléatoires sont 1,9 fois plus rapides sur les modèles de 120 et 250 Go**. Le 850 EVO des performances supérieures en lecture (540 Mo/s) et en écriture (520 Mo/s) par rapport aux produits concurrents similaires. De plus, vous bénéficiez de performances optimisées pour les PC clients lors d'accès aléatoires sur toutes les profondeurs de(Queue Depth).
*PCmark7 (250 Go) : 6 700 (840 EVO) > 7 600 (850 EVO).
**Ecriture directe (QD32, 120 Go) : 36.000 IOPS (840 EVO) > 88.000 IOPS (850 EVO).

Passez à la vitesse supérieure avec le mode RAPID amélioré.
Améliorez les performances à tout moment avec le logiciel Samsung Magician. Il propose le mode RAPID, qui utilise la mémoire vive (DRAM) du PC comme mémoire tampon supplémentaire et augmente ainsi encore considérablement les taux de transfert. Avec le nouveau logiciel Samsung Magician, l'utilisation possible de la mémoire vive en mode RAPID passe de 1 Go dans la version précédente à jusqu'à 4 Go si l'ordinateur dispose de 16 Go de DRAM. En outre, les performances* sont doublées pour les accès aléatoires à tous les niveaux de
*PCMARK7 RAW (250 Go) : 7 500 > 15 000 (mode rapide).

Travaillez plus longtemps grâce à l'efficacité énergétique accrue du 3D V-NAND.
Le 850 EVO une autonomie de batterie plus longue sur les ordinateurs portables grâce au contrôleur SSD optimisé pour le 3D V-NAND qui prend en charge la mise en veille du périphérique (DEVSLP). Le SSD 850 EVO n'a besoin que de 2 mW de puissance pour cela. Le 850 EVO économise également environ 25 % d'énergie en écriture* par rapport au 840 EVO, car le 3D V-NAND consomme environ la moitié de l'énergie nécessaire au 2D NAND planaire.
*Energie (250 Go) : 3,2 watts (840 EVO) > 2,4 watts (850 EVO).

Données techniques :

• Forme de construction Solid State Drive (SSD)
• Facteur de forme 2.5
• Interface SATA 6Gb/s
• Lecture 540MB/s
• Écriture 520MB/s
• IOPS 4K lecture/écriture 97k/88k
• Modules de mémoire 3D-NAND TLC, Samsung, 48 couches (V-NAND v3)
• TBW 75TB
• MTBF 1.5 million d'heures
• Contrôleur Samsung MGX, 8 canaux, 400MHz
• Cache 512MB LPDDR3
• Protocole AHCI
• Fonctions de protection des données 256bit AES, TCG Opal 2.0
• Consommation électrique pas d'indication (maximum), 1.72W (en fonctionnement), 0.025W (inactif), pas d'indication (mode sommeil)
• Dimensions 100x70x6.8mm

Contenu de la :

Samsung 250GB SSD 2,5'( emballage Bulk )

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SATA III 850 EVO

Salut ! Chez novendu®, nous sommes heureux que tu t'intéresses à cet article. Normalement, tu trouveras à cet endroit une description détaillée de l'article avec ses principales caractéristiques et ses points forts. Enmoment, nous faisons un petit nettoyage de printemps et mettons notre boutique à jour, c'est pourquoi il manque ici par exemple un texte sur le produit. Nous nous dépêchons cependant de te fournir à nouveau un contenu de qualité dans les meilleurs délais. Merci de votre compréhension :)