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  • Profitez de la technologie DDR5 de pointe pour des performances accrues.
  • Bénéficiez d'une capacité de 8 Go, idéale pour vos besoins multitâches.
  • Expérimentez une vitesse fulgurante avec une fréquence de 5600 MHz.
  • Conçu au format SO-DIMM 262 broches, parfait pour les ordinateurs portables.
  • Assurez l'intégrité de vos données grâce à la fonction ECC sur puce.
  • Optimisez la réactivité de votre système avec une latence CAS de 40.
Généré par l’IA à partir des données produit

Samsung M425R1GB4BB0-CWM, 8 Go, 1 x 8 Go, DDR5, 5600 MHz, SO-DIMM 262 broches

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En savoir plus sur le produit

Description et données du produit

Caractéristiques techniques :
  • Format : DDR5 SO-DIMM 262 broches
  • Type de module : UDIMM Non-ECC (sans tampon)
  • Débit de données : 4800 MT/s
  • Modules : 1x 8 Go
  • ECC : ECC sur puce
  • Spécification JEDEC : PC5-38400S
  • Tension : 1,1 V (tension standard JEDEC)
  • Hauteur du module : 30 mm (hauteur standard JEDEC)
  • Organisation : rang unique, x16
  • Boîtier : N/A
  • Éclairage : N/​A
  • Particularités : profil standard JEDEC (DDR5-4800/CL40)
  • Latence CAS (CL) : 40 (16,67 ns)
Fabricant
Technologie de stockage
DDR5
Capacité de stockage
8 GB
Numéro de fabricant
M425R1GB4BB0-CWM
Codes-barres EAN
5715328127142

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