BRAINZAP 4GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3L-12800S 2Rx8 1600 MHz 1.35V CL11 Mémoire pour ordinateur portable

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Description et données du produit

Description du produit



Notre module de mémoire DDR3 RAM de 4 Go, portant la référence BS-D3-4G-SO-1600-2RX8-L, fonctionne à 1,35 V ainsi qu'à 1,5 V et est fabriqué et contrôlé selon les normes de qualité les plus strictes.

La fréquence de la mémoire est de 1600 MHz et est rétrocompatible avec 1333 MHz, et 1066 MHz.

La marque BRAINZAP est enregistrée auprès du JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) et nos modules de mémoire sont conformes à 100% aux spécifications JEDEC. Le module de mémoire est présélectionné selon les spécifications JEDEC PC3L-12800S-11. La latence de mémoire correspondante est CL11.

Le module de mémoire est équipé de deux côtés pour une compatibilité maximale (Dual-Rank 2Rx8). Le module de mémoire est non bufferisé et non ECC et fonctionne donc sans problème dans la plupart des appareils.

Nous utilisons uniquement des puces de marque (de préférence Samsung, Micron et SK Hynix).

  • Nouvelle mémoire.
  • Puces de marque (Samsung/Hynix/Micron/Kingston)
  • Compatible avec la plupart des ordinateurs portables équipés de mémoire DDR3.
  • Exemple d'illustration. L'apparence peut varier.

Détails du produit



  • EAN : 4262360570234
  • Type de mémoire : DDR3 RAM
  • Marque : BRAINZAP
  • Modellnummer: BS-D3-4G-SO-1600-2RX8-L
  • Compatible avec : Ordinateurs portables - Intel et AMD
  • Fréquence de la mémoire : 1600 MHz
  • Capacité de chaque module : 4GB
  • Nombre de modules : 1
  • Capacité totale : 4GB
  • Speicher-Spezifikation: PC3L-12800S-11
  • Norme JEDEC : PC3L-12800S
  • Forme de construction : SO DIMM 204 pôles.
  • Non bufferisé : oui
  • ECC : non
  • Enregistré : non
  • Tension : 1.35V
  • Latence (CL) : 11
  • Disposition des puces : 2Rx8
Modèle
BS-D3-4G-SO-1600-2RX8-L
Fabricant
BRAINZAP
Technologie de stockage
DDR3
Capacité de stockage
4 B
Numéro de fabricant
BS-D3-4G-SO-1600-2RX8-L
Codes-barres EAN
4262360570234
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